MBE生长InAs薄膜输运性质的研究

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	MBE生长InAs薄膜输运性质的研究
	周宏伟 ; 董建荣 ; 王红梅 ; 曾一平 ; 朱占萍 ; 潘量 ; 孔梅影
刊名	半导体学报
	1998
卷号	19 期号:9 页码:646
中文摘要	在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。
英文摘要	在GaSa衬底上MBE生长大失配InAs薄膜，虽然在界面处存在大量位错，但仍能在InAs薄膜中得到较高的电子迁移率。掺Si样品的迁移率比同厚度未掺杂的样品要高。且对未掺杂的InAs薄膜，迁移率在室温附近有一个明显的极小值。这些反常行为可以通过体层和界面层电子的并联电导模型来解释。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:12:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:12:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5721.pdf: 272408 bytes, checksum: eea183058fb2c0f69b5eed7f9a8a45cb (MD5) Previous issue date: 1998; 中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19275]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	周宏伟,董建荣,王红梅,等. MBE生长InAs薄膜输运性质的研究[J]. 半导体学报,1998,19(9):646.
APA	周宏伟.,董建荣.,王红梅.,曾一平.,朱占萍.,...&孔梅影.(1998).MBE生长InAs薄膜输运性质的研究.半导体学报,19(9),646.
MLA	周宏伟,et al."MBE生长InAs薄膜输运性质的研究".半导体学报 19.9(1998):646.