Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性

	Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性
	成步文
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:1 页码:53
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:36导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5411.pdf: 206010 bytes, checksum: 0bbd88c6d48b7fc379c566fefd1f4e7a (MD5) Previous issue date: 2001; 国家自然科学基金; 中科院半导体所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18727]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文. Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性[J]. 半导体学报,2001,22(1):53.
APA	成步文.(2001).Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性.半导体学报,22(1),53.
MLA	成步文."Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性".半导体学报 22.1(2001):53.