快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）

	快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）
	王玉田
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:6 页码:695
中文摘要	利用光电流谱，结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si_(1-x)Ge/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响。由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散，退火后的二极管的截止波长有显著的减小。但是，在750-850℃范围内，波长蓝移量随着退火温度的增加而变化缓慢，而样品的光电流强度却随温度是先减弱而后又增强，这可能主要是由于在不同温度退火过程中失配位错的产生和点缺陷的减小造成的。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家973计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18681]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王玉田. 快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）[J]. 半导体学报,2001,22(6):695.
APA	王玉田.(2001).快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）.半导体学报,22(6),695.
MLA	王玉田."快速退火对SiGe/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响（英文）".半导体学报 22.6(2001):695.