部分耗尽CMOS/SOI工艺

	部分耗尽CMOS/SOI工艺
	刘新宇 ; 孙海峰 ; 陈焕章 ; 扈焕章 ; 海潮和 ; 刘忠立 ; 和致经 ; 吴德馨
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:6 页码:806
中文摘要	对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究，成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺。其关键工艺技术包括
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18669]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,孙海峰,陈焕章,等. 部分耗尽CMOS/SOI工艺[J]. 半导体学报,2001,22(6):806.
APA	刘新宇.,孙海峰.,陈焕章.,扈焕章.,海潮和.,...&吴德馨.(2001).部分耗尽CMOS/SOI工艺.半导体学报,22(6),806.
MLA	刘新宇,et al."部分耗尽CMOS/SOI工艺".半导体学报 22.6(2001):806.