氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性

	氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性
	刘新宇 ; 刘运龙 ; 孙海锋 ; 海潮和 ; 吴德馨 ; 和致经 ; 刘忠立
刊名	半导体学报
	2001
卷号	22 期号:12 页码:1596
英文摘要	于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:10:18导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:10:18Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5350.pdf: 275281 bytes, checksum: ca5d16df64e914c9979f8ba3737b8388 (MD5) Previous issue date: 2001; 中科院微电子中心;中科院半导体所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18605]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,刘运龙,孙海锋,等. 氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性[J]. 半导体学报,2001,22(12):1596.
APA	刘新宇.,刘运龙.,孙海锋.,海潮和.,吴德馨.,...&刘忠立.(2001).氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性.半导体学报,22(12),1596.
MLA	刘新宇,et al."氮化H_2-O_2合成薄栅氧抗辐照特性".半导体学报 22.12(2001):1596.