分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料

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	分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料
	孙殿照 ; 王晓亮 ; 胡国新 ; 王军喜 ; 刘宏新 ; 刘成海 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英
刊名	固体电子学研究与进展
	2002
卷号	22 期号:2 页码:202-204
中文摘要	用自组装的氮源分子束外延（NH_3-MBE）系统和射频等离子体辅助分子束外延（PA-MBE）系统在C面蓝宝石衬底上外延了优质GaN以及AlGaN/GaN二维电子气材料。GaN膜（1.2 μm厚）室温电子迁移率达300 cm~2/V·s，背景电子浓度低至2 * 10~(17) cm~(-3)。双晶X射线衍射（0002）摇摆曲线半高宽为6 arcmin。AlGaN/GaN二维电子气材料最高的室温和77 K二维电子气电子迁移率分别为730 cm~2/V·s和1200 cm~2/V·s，相应的电子面密度分别是7.6 * 10~(12) cm~(-2)和7.1 * 10~(12) cm~(-2)；用所外延的AlGaN/GaN二维电子气材料制备出了性能良好的AlGaN/GaN HFET（异质结场效应晶体管），室温跨导为50 mS/mm（栅长1 μm），截止频率达13 GHz（栅长0.5 μm）。该器件在300 ℃出现明显的并联电导，这可能是材料中的深中心在高温被激活所致。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18007]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	孙殿照,王晓亮,胡国新,等. 分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料[J]. 固体电子学研究与进展,2002,22(2):202-204.
APA	孙殿照.,王晓亮.,胡国新.,王军喜.,刘宏新.,...&林兰英.(2002).分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料.固体电子学研究与进展,22(2),202-204.
MLA	孙殿照,et al."分子束外延AlGaN/GaN异质结场效应晶体管材料".固体电子学研究与进展 22.2(2002):202-204.