Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn
Xu Zhang ; Dongliang Zhang ; Jun Zheng ; Zhi Liu ; Chao He ; Chunlai Xue ; Guangze Zhang ; Chuanbo Li ; Buwen Cheng ; Qiming Wang
刊名solid-state electronics
2015
卷号114页码:178–181
学科主题光电子学
收录类别SCI
语种英语
公开日期2016-03-22
内容类型期刊论文
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26657]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Xu Zhang,Dongliang Zhang,Jun Zheng,et al. Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn[J]. solid-state electronics,2015,114:178–181.
APA Xu Zhang.,Dongliang Zhang.,Jun Zheng.,Zhi Liu.,Chao He.,...&Qiming Wang.(2015).Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn.solid-state electronics,114,178–181.
MLA Xu Zhang,et al."Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn".solid-state electronics 114(2015):178–181.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace