Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn | |
Xu Zhang ; Dongliang Zhang ; Jun Zheng ; Zhi Liu ; Chao He ; Chunlai Xue ; Guangze Zhang ; Chuanbo Li ; Buwen Cheng ; Qiming Wang | |
刊名 | solid-state electronics |
2015 | |
卷号 | 114页码:178–181 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2016-03-22 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26657] |
专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Xu Zhang,Dongliang Zhang,Jun Zheng,et al. Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn[J]. solid-state electronics,2015,114:178–181. |
APA | Xu Zhang.,Dongliang Zhang.,Jun Zheng.,Zhi Liu.,Chao He.,...&Qiming Wang.(2015).Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn.solid-state electronics,114,178–181. |
MLA | Xu Zhang,et al."Formation and characterization of Ni/Al Ohmic contact on n+-type GeSn".solid-state electronics 114(2015):178–181. |
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