RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料

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	RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料
	胡国新 ; 王晓亮 ; 孙殿照 ; 王军喜 ; 刘宏新 ; 刘成海 ; 曾一平 ; 李晋闽 ; 林兰英
刊名	半导体学报
	2003
卷号	24 期号:6 页码:602-605
中文摘要	用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF-MBE）在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3)，相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的（0002）X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为7’；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)。
英文摘要	用射频等离子体辅助分子束外延技术（RF-MBE）在c面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlN/GaN超晶格结构极化感应二维电子气材料。所获得的掺Si的GaN膜室温电子浓度为2.2 * 10~(18)cm~(-3)，相应的电子迁移率为221cm~2/(V·s);1μm厚的GaN外延膜的（0002）X射线衍射摇摆曲线半高宽（FWHM）为7’；极化感应产生的二维电子气室温电子迁移率达到1086cm~2/(V·s)，相应的二维电子气面密度为7.5 * 10~(12)cm~(-2)。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:07:35导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:07:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4976.pdf: 206412 bytes, checksum: 44a79238e1485bfcf1eccc0453a8b2a0 (MD5) Previous issue date: 2003; 中国科学院基金,国家重点基础研究发展规划(No.G2 683)资助项目,国家自然科学基金; 中科院半导体所材料科学中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	中国科学院基金,国家重点基础研究发展规划(No.G2 683)资助项目,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17859]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡国新,王晓亮,孙殿照,等. RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料[J]. 半导体学报,2003,24(6):602-605.
APA	胡国新.,王晓亮.,孙殿照.,王军喜.,刘宏新.,...&林兰英.(2003).RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料.半导体学报,24(6),602-605.
MLA	胡国新,et al."RF-MBE生长AlN/GaN超晶格结构二维电子气材料".半导体学报 24.6(2003):602-605.