快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究

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	快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究
	江德生
刊名	稀有金属
	2004
卷号	28 期号:3 页码:582-584
中文摘要	分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现退火有效地改善材料的发光特性，并且会造成s-型的转变温度降低，从而说明退火可以有效地减少局域态。
英文摘要	分析了MBE生长的GaInNAs／GaAs单量子阱样品的光致荧光谱(PL)，细致地研究了在弱激发功率下GaInNAs／GaAs样品的发光峰位的 s-型反常温度依赖关系。并对材料进行了退火处理，结果发现退火有效地改善材料的发光特性，并且会造成s-型的转变温度降低，从而说明退火可以有效地减少局域态。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4747.pdf: 157551 bytes, checksum: 5b1ca09eade8ae37c58ac7ec0caac492 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金资助项目（6 276 3）,国家自然科学基金资助项目（6 276 3）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目（6 276 3）,国家自然科学基金资助项目（6 276 3）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17461]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	江德生. 快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究[J]. 稀有金属,2004,28(3):582-584.
APA	江德生.(2004).快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究.稀有金属,28(3),582-584.
MLA	江德生."快速热退火对GaInNAs/GaAs单量子阱反常温度特性研究".稀有金属 28.3(2004):582-584.