MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究
	冉军学 ; 王晓亮 ; 胡国新 ; 王军喜 ; 李建平 ; 曾一平 ; 李晋闽
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:3 页码:494-497
中文摘要	用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.
英文摘要	用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表明,950℃退火后空穴浓度达到5×1017cm-3以上,电阻率降到2.5Ω·cm;(0002)面DCXRD测试发现样品退火前、后的半峰宽均约为4′;室温PL谱中发光峰位于2.85eV处,退火后峰的强度比退火前增强了8倍以上,表明样品中大量被H钝化的受主Mg原子在退火后被激活.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:59导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4546.pdf: 275248 bytes, checksum: 20366cef6cedb8c9c54930a6a6e7fcbd (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17115]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	冉军学,王晓亮,胡国新,等. MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究[J]. 半导体学报,2005,26(3):494-497.
APA	冉军学.,王晓亮.,胡国新.,王军喜.,李建平.,...&李晋闽.(2005).MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究.半导体学报,26(3),494-497.
MLA	冉军学,et al."MOCVD生长Mg掺杂GaN的退火研究".半导体学报 26.3(2005):494-497.