1064nm RCE探测器光电响应特性分析

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	1064nm RCE探测器光电响应特性分析
	杨晓红; 韩勤; 彭红玲; 牛智川; 章昊
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:8 页码:1605-1609
中文摘要	对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器（PD）的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片，并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57％，谱线半宽6～7nm，峰值波长1059nm；而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30％，谱线半宽5nm，峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系，对两种结构器件的吸收进行了比较，发现虽然量子点探测器的吸收小，但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的I-V特性．
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16921]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨晓红,韩勤,彭红玲,等. 1064nm RCE探测器光电响应特性分析[J]. 半导体学报,2005,26(8):1605-1609.
APA	杨晓红,韩勤,彭红玲,牛智川,&章昊.(2005).1064nm RCE探测器光电响应特性分析.半导体学报,26(8),1605-1609.
MLA	杨晓红,et al."1064nm RCE探测器光电响应特性分析".半导体学报 26.8(2005):1605-1609.