高频大功率SiGe／SiHBT的设计

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	高频大功率SiGe／SiHBT的设计
	成步文; 薛春来
刊名	半导体光电
	2006
卷号	27 期号:3 页码:271-277
中文摘要	详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。
英文摘要	详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设计中的条宽、间隔的选择等。并对这些主要参数的选择给出了一些实用的建议。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:52导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:52Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4245.pdf: 663539 bytes, checksum: 7419414a0c1821d7aa207bf13d6d454c (MD5) Previous issue date: 2006; 国家“863”计划项目,国家“973”计划项目,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家“863”计划项目,国家“973”计划项目,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16583]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文,薛春来. 高频大功率SiGe／SiHBT的设计[J]. 半导体光电,2006,27(3):271-277.
APA	成步文,&薛春来.(2006).高频大功率SiGe／SiHBT的设计.半导体光电,27(3),271-277.
MLA	成步文,et al."高频大功率SiGe／SiHBT的设计".半导体光电 27.3(2006):271-277.