不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射

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	不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射
	陈涌海; 徐波
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:6 页码:1012-1015
中文摘要	利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.
英文摘要	利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:38导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4185.pdf: 363373 bytes, checksum: e2ab8a2c5a12dbe5c97ddbce172b6735 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目; 南开大学;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,天津市应用基础研究资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16509]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈涌海,徐波. 不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射[J]. 半导体学报,2006,27(6):1012-1015.
APA	陈涌海,&徐波.(2006).不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射.半导体学报,27(6),1012-1015.
MLA	陈涌海,et al."不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射".半导体学报 27.6(2006):1012-1015.