400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究

	400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究
	宫辉; 李金; 杨世明; 邵贝贝; 龚光华; 李裕熊; 谢小希
刊名	高能物理与核物理
	2007
期号	3 页码:283-287
关键词	BESⅢ RADFET剂量计累积剂量测量辐照强度相关性退火
其他题名	Study of the Features of 400nm IMPL RADFET Dosimeter
中文摘要	RADFET多通道探测器将要用来测量北京谱仪BESⅢ中量能器附近的累计剂量．探测器的技术关键是对400nm IMPL RADFET剂量计具体性能的了解和掌握．本工作以60Coγ源为辐射源,实验研究了400nm IMPL RADFET剂量计的各项性能,包括RADFET通道间的一致性、测量累积剂量时的辐照强度相关性以及退火特性等,同时也讨论了测量数据的拟合方法,为该类型RADFET剂量计在RADFET多通道探测器的设计、建造和其他方面的应用提供了实验基础．
公开日期	2016-02-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/219091]
专题	高能物理研究所_实验物理中心
推荐引用方式 GB/T 7714	宫辉,李金,杨世明,等. 400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究[J]. 高能物理与核物理,2007(3):283-287.
APA	宫辉.,李金.,杨世明.,邵贝贝.,龚光华.,...&谢小希.(2007).400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究.高能物理与核物理(3),283-287.
MLA	宫辉,et al."400nm IMPL RADFET剂量计的性能研究".高能物理与核物理 .3(2007):283-287.