Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究

	Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究
	赵德刚; 陈亮
刊名	固体电子学研究与进展
	2008
卷号	28 期号:3 页码:420-423
中文摘要	感应耦合等离子体（ICP）刻蚀在AlGaN基紫外探测器台面制作中起着重要作用，初步研究了Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对A1GaN材料的损伤。运用X射线光电子能谱（XPS）对ICP刻蚀前后的n型Al0.45Ga0．55N表面进行了分析，并对刻蚀后AlGaN材料在N2气中快速热退火进行了研究。结果表明，在N2气中550℃退火3min对材料的电学性能有明显的改善作用。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15967]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵德刚,陈亮. Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究[J]. 固体电子学研究与进展,2008,28(3):420-423.
APA	赵德刚,&陈亮.(2008).Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究.固体电子学研究与进展,28(3),420-423.
MLA	赵德刚,et al."Cl2／Ar／BCl3ICP刻蚀对AIGaN的损伤研究".固体电子学研究与进展 28.3(2008):420-423.