GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究

	GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究
	牛智川
刊名	红外与毫米波学报
	2009
卷号	28 期号:3 页码:165-167
中文摘要	采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb (2ML/8ML)和InAs/GaSb (8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2(A)和57.3(A).室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率D~·_(bb)均超过2×10~8cmHz~(1/2)/W.室温下短波探测器D~·_(bb)超过10~8cmHz~(1/2)/W.
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15823]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究[J]. 红外与毫米波学报,2009,28(3):165-167.
APA	牛智川.(2009).GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究.红外与毫米波学报,28(3),165-167.
MLA	牛智川."GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究".红外与毫米波学报 28.3(2009):165-167.