GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM

	GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM
	QIN FG ; WANG XM ; YANG GR ; LIN LY
刊名	chinese physics
	1984
卷号	4 期号:4 页码:976-980
ISSN号	0273-430x
通讯作者	qin, fg, chinese acad sci,inst psychol,beijing,peoples r china
学科主题	半导体材料
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14821]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	QIN FG,WANG XM,YANG GR,et al. GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM[J]. chinese physics,1984,4(4):976-980.
APA	QIN FG,WANG XM,YANG GR,&LIN LY.(1984).GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM.chinese physics,4(4),976-980.
MLA	QIN FG,et al."GERMANIUM EPITAXY ON SILICON BY IONIZED-CLUSTER BEAM".chinese physics 4.4(1984):976-980.