DEPENDENCE OF THE GAP ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H

	DEPENDENCE OF THE GAP ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H
	CHEN ZM ; CHEN TG ; KONG GG ; LIN LY
刊名	chinese physics
	1983
卷号	3 期号:1 页码:180-187
ISSN号	0273-429x
通讯作者	chen zm acad sinicainst semicondbeijingpeoples r china
学科主题	半导体物理
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14781]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	CHEN ZM,CHEN TG,KONG GG,et al. DEPENDENCE OF THE GAP ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H[J]. chinese physics,1983,3(1):180-187.
APA	CHEN ZM,CHEN TG,KONG GG,&LIN LY.(1983).DEPENDENCE OF THE GAP ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H.chinese physics,3(1),180-187.
MLA	CHEN ZM,et al."DEPENDENCE OF THE GAP ON HYDROGEN CONTENT IN A-SI-H".chinese physics 3.1(1983):180-187.