A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS

	A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS
	ZHAO XS ; LI GH ; HAN HX ; WANG ZP ; TANG RM ; CHE RZ
刊名	chinese physics
	1985
卷号	5 期号:2 页码:337-340
ISSN号	0273-429x
通讯作者	zhao xs chinese acad sciinst semicondbeijingpeoples r china
学科主题	半导体物理
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14725]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	ZHAO XS,LI GH,HAN HX,et al. A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS[J]. chinese physics,1985,5(2):337-340.
APA	ZHAO XS,LI GH,HAN HX,WANG ZP,TANG RM,&CHE RZ.(1985).A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS.chinese physics,5(2),337-340.
MLA	ZHAO XS,et al."A STUDY OF NITROGEN ISOELECTRONIC TRAPS IN GAAS".chinese physics 5.2(1985):337-340.