博士论文-慢正电子束流技术及其介孔SiO2薄膜材料表征

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题名	博士论文-慢正电子束流技术及其介孔SiO2薄膜材料表征
作者	秦秀波
学位类别	博士
答辩日期	2009
授予单位	中国科学院研究生院
授予地点	北京
导师	王宝义
关键词	慢正电子束流蒸发诱导自组装介孔sio2薄膜正电子素湮没诱发俄歇电子能谱孔结构
学位专业	凝聚态物理
中文摘要	北京慢正电子强束流装置已经发展了基于放射源插入件装置和脉冲化的慢正电子湮没寿命谱系统。本工作在此基础上，设计了基于微通道板MCP正电子束流观测系统，系统研究了束流位置和束斑畸变对束流性能的影响，并通过调整输运磁场提高了束流品质。本工作还设计了基于该实验装置的飞行时间正电子湮没诱发俄歇电子能谱装置。通过E×B板对束流在均匀磁场输运管道中的位置进行调整，强NdFeB磁铁产生高强度（3000Gauss）磁场与均匀输运磁场（40Gauss）形成磁场梯度对出射的俄歇电子平行化，MCP板用于束流位置的观测和俄歇电子的探测，法拉第筒调节出射俄歇电子的能量，使得任意能量的俄歇电子的能量分辨都优于2eV。; 了解孔洞的详细信息例如孔隙率、开孔率、孔大小以及分布、孔形貌等对于有效的控制和改进有序介孔材料的性能至关重要。本工作利用蒸发诱导自组装技术制备了具有不同结构的有序介孔SiO2薄膜，研究了表面活性剂含量、种类以及制备介孔SiO2薄膜时旋涂速率对介孔结构的影响，并通过SEM、小角XRD、FT-IR等方法对其进行了表征。通过慢正电子湮没多普勒展宽能谱、正电子素飞行时间谱和同步辐射小角X射线反射率技术等对介孔材料的孔结构进行分析，并探讨了介孔形成的物理机制。
语种	中文
学科主题	凝聚态物理
公开日期	2016-02-25
内容类型	学位论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210074]
专题	多学科研究中心_学位论文和出站报告
作者单位	中国科学院高能物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	秦秀波. 博士论文-慢正电子束流技术及其介孔SiO2薄膜材料表征[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2009.