ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION

	ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION
	WU CW ; YIN SD ; ZHANG JP ; XIAO GM ; LIU JR ; ZHU PR
刊名	journal of applied physics
	1990
卷号	68 期号:5 页码:2100-2104
ISSN号	0021-8979
学科主题	半导体物理
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2010-11-15
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/14369]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	WU CW,YIN SD,ZHANG JP,et al. ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION[J]. journal of applied physics,1990,68(5):2100-2104.
APA	WU CW,YIN SD,ZHANG JP,XIAO GM,LIU JR,&ZHU PR.(1990).ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION.journal of applied physics,68(5),2100-2104.
MLA	WU CW,et al."ANOMALOUS ION CHANNELING IN INGAAS GAAS STRAINED HETEROJUNCTION".journal of applied physics 68.5(1990):2100-2104.